Az EPC bemutatta az EPC2361 GaN FET-et, amely 100 voltos feszültségen működik, és 1 milliohmi ellenállással rendelkezik. Ez a GaN FET a legkisebb kapcsolási ellenállással rendelkezik az iparágban, és dupla teljesítménysűrűséget biztosít az EPC korábbi generációs termékeihez képest.
Az EPC2361 típusjellemzője 1 mOhm RDS(on) érték egy hőátadást javító QFN csomagolásban, melynek felső része ki van téve, és a kis lábnyom mérete 3 mm × 5 mm. Az EPC2361 maximális RDS(on) x Terület értéke 15 mΩ*mm2, ami ötször kisebb, mint az azonos 100 V-os szilícium MOSFET-eké.
Az EPC2361 rendkívül alacsony kapcsolási ellenállása lehetővé teszi a nagyobb teljesítménysűrűség és hatékonyság elérését az energiaátalakító rendszerekben, ami kevesebb energiafogyasztással és hőleadással jár. Ez a fejlesztés különösen fontos az olyan alkalmazásokban, mint a nagy teljesítményű tápegységek AC-DC szinkron redresszációja, adatközpontokhoz készült nagyfrekvenciás DC-DC átalakítás, motorvezérlők az eMobilitás, robotika, drónok és napelem MPPT-k számára.
Az új 1 mΩ-es GaN FET az EPC-től elősegíti a GaN technológia lehetőségeinek fejlődését, lehetővé téve az ügyfelek számára, hogy olyan energiaelektronikai rendszereket fejlesszenek ki, amelyek hatékonyabbak, kisebbek és megbízhatóbbak.
Az EPC90156 fejlesztőpanel egy félhíd, amely tartalmazza az EPC2361 GaN FET-et. A készülék legfeljebb 100 V-os feszültségen működik. Ez a panel az áramforrásrendszerek tervezőinek értékelési folyamatát hivatott egyszerűsíteni, hogy gyorsítsa a termék piacra kerülését. A 2” x 2” (50,8 mm x 50,8 mm) panel kifejezetten kiváló kapcsolási teljesítmény érdekében van kialakítva, és tartalmazza az összes lényeges komponenst a kényelmes értékeléshez.